多弧离子镀膜设备
公开
摘要
本发明提供了一种涉及真空镀膜技术领域的多弧离子镀膜设备，包括放置在壳体内部的真空室、抽气组件、冷却器、PLC控制器以及电源；电源电连接PLC控制器，PLC控制器通过线路分别连接真空室抽气组件以及冷却器，抽气组件连接真空室、并对真空室进行真空处理，冷却器通过水管分别连接真空室和抽气组件，使真空室和抽气组件进行冷却；真空室包括框架、面板、电弧离子源装置以及转架装置，多块面板依次连接于框架四周，多个电弧离子源装置连接于面板内壁上，框架内部连接有转架装置，通过转架装置进行样品移动。本发明将“电、气、水”三方面的设备仪器分割开来，做到易于管理、调整检修，同时在硬件和软件设计方面，提高了设备使用的可靠性和易用性。
基本信息
专利标题 ：
多弧离子镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293153A
申请号 ：
CN202111520386.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
乔宏李灿伦倪俊景加荣李绍杰祁松松靳兆峰李艳臣王松超
申请人 ：
上海卫星装备研究所
申请人地址 ：
上海市闵行区华宁路251号
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
李佳俊
优先权 ：
CN202111520386.5
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32 C23C14/54 C23C14/50 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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