一种离子镀膜的弧靶结构
授权
摘要
本实用新型提供一种离子镀膜的弧靶结构，涉及镀膜用弧靶技术领域，包括基座和限位装置，所述基座的上端固定连接有转动装置，所述转动装置远离基座的一端固定连接有连接臂，所述连接臂远离基座的一端转动连接有转块，所述转块的表面固定连接有连接盘，所述连接盘的表面均固定连接有四个安装板，四个所述安装板圆周阵列在连接盘的表面。本实用新型，利用滑动滑环使滑环在连接臂表面滑动，通过滑环带动其表面转动的连杆，借助连杆推动安装板，从而使连接盘借助转块在连接臂上转动，通过转动第一螺栓将滑环进行固定，从而固定调整连接盘的角度，达到了固定连接盘上靶子角度的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种离子镀膜的弧靶结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020666137.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN212833999U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
张金宝
申请人 ：
遵化市富森钛金设备有限公司
申请人地址 ：
河北省唐山市遵化市经济开发区龙山工业园
代理机构 ：
北京化育知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹均利
优先权 ：
CN202020666137.1
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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