一种无液滴的等离子体镀膜弧源结构、镀膜系统及镀膜方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种无液滴的等离子体镀膜弧源结构、镀膜系统及镀膜方法,该等离子体镀膜弧源结构包括靶台、靶材、空腔辅助阳极、第一脉冲电源、直流弧电源、第二脉冲电源,靶材设于靶台表面,靶材外侧设有通道,空腔辅助阳极设于通道中,第一脉冲电源的正极与空腔辅助阳极电连接,第一脉冲电源的负极与靶材电连接,在第一脉冲电源的作用下,空腔辅助阳极产生等离子体,直流弧电源的正极外接弧源阳极,直流弧电源的负极与靶材电连接,第二脉冲电源的正极外接弧源阳极,第二脉冲电源的负极外接工件形成阴极。该等离子体镀膜弧源结构能实现无液滴、离化率高、安全性好,且实现大面积、均匀、稳定的涂层生产。

基本信息
专利标题 :
一种无液滴的等离子体镀膜弧源结构、镀膜系统及镀膜方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318249A
申请号 :
CN202111664228.7
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
曹时义王俊锋
申请人 :
广东鼎泰高科技术股份有限公司
申请人地址 :
广东省东莞市厚街镇赤岭工业一环路12号之一2号楼102室
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
侯柏龙
优先权 :
CN202111664228.7
主分类号 :
C23C14/32
IPC分类号 :
C23C14/32  C23C14/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法;蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/32
申请日 : 20211230
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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