一种磁过滤弧镀膜装置
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摘要
本实用新型公开了一种磁过滤弧镀膜装置，包括：阴极电弧源，它含电弧靶座、靶块、永磁体和永磁体调节机构，靶块安装在靶座前端面上，靠近靶块的靶座后端面中央安放柱状永磁体，永磁体后面连接永磁体调节机构；真空镀膜室，其室内为真空设置；磁过滤弯管，其一端为与所述阴极电弧源的前端连接的入口端，另一端为与真空镀膜室的内腔连通的出口端；还包括：第一励磁线圈，安装在靶块周边，并位于阴极电弧源的外侧；第一励磁线圈用于与所述永磁体相配合对磁场进行改变；多个线圈模组，其分别设置在所述磁过滤弯管的入口端、拐弯处以及出口端。本实用新型能够减少阴极电弧靶等离子体中的大颗粒产生，层膜的沉积速率高、均匀性好，质量好。
基本信息
专利标题 ：
一种磁过滤弧镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022051241.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN213924990U
授权日 ：
2021-08-10
发明人 ：
李志荣李迎春王广文赵丹王彦磊
申请人 ：
广东汇成真空科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市大岭山镇颜屋龙园路2号
代理机构 ：
广州知友专利商标代理有限公司
代理人 ：
周克佑
优先权 ：
CN202022051241.2
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2021-08-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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