一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及薄膜制备领域，具体地说是一种新型的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置。所述改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置设有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座，靶材安装于靶材底座上，动态控制磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成，主控磁场发生装置放置于靶材后面，和靶材同轴放置，辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周围。本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用，在靶面上形成动态分布的拱形磁场，达到改善弧斑的放电形式和工作稳定性，控制弧斑的运动轨迹，提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率，减少靶材大颗粒的发射，用以制备高质量的薄膜的目的。

基本信息

专利标题：

一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820010151.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-01-11

授权号：

CN201158702Y

授权日：

2008-12-03

发明人：

肖金泉郎文昌孙超宫骏杜昊赵彦辉杨英闻立时

申请人：

中国科学院金属研究所

申请人地址：

110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司

代理人：

张志伟

优先权：

CN200820010151.5

主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/35