耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及薄膜制备领域，具体地说是一种耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置，用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性，减少靶材大颗粒的发射，提高靶材刻蚀均匀性。本实用新型电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置，一套放置于靶材后面，另一套放置于真空室内，通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。本实用新型通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场，解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性，提高了薄膜的沉积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜质量，拓展了制备工艺参数的范围，为制备不同性能的薄膜提供条件。

基本信息

专利标题：

耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820010140.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-01-09

授权号：

CN201158701Y

授权日：

2008-12-03

发明人：

肖金泉郎文昌孙超宫骏杨英赵彦辉杜昊闻立时

申请人：

中国科学院金属研究所

申请人地址：

110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司

代理人：

张志伟

优先权：

CN200820010140.7

主分类号：

C23C14/32

IPC分类号：

C23C14/32