一种用于薄膜非接触热膨胀测量的低温装置
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及用于薄膜非接触热膨胀测量技术,具体为一种用于薄膜非接触热膨胀测量的低能耗低温装置(-130℃~250℃)。该装置设有低温-高温炉系统、试样架系统,低温-高温炉系统采用两级真空双层结构,置于低温-高温炉系统中的加热器采用锥型-沟槽型结构,置于加热器中的试样架系统采用弹性夹持结构。本实用新型用非接触方法测量薄膜热膨胀的低能耗,将温度范围扩展到低温,低温装置在1.5小时内使试样降低到-130℃,耗用液氮5升。

基本信息
专利标题 :
一种用于薄膜非接触热膨胀测量的低温装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820012305.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-04-23
授权号 :
CN201188091Y
授权日 :
2009-01-28
发明人 :
王宝全陈新贵何冠虎郭敬东
申请人 :
中国科学院金属研究所
申请人地址 :
110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 :
沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人 :
张志伟
优先权 :
CN200820012305.4
主分类号 :
G01N25/16
IPC分类号 :
G01N25/16  B01L7/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N25/00
应用热方法测试或分析材料
G01N25/16
通过测试热膨胀系数
法律状态
2012-06-27 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101273512464
IPC(主分类) : G01N 25/16
专利号 : ZL2008200123054
申请日 : 20080423
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20110423
2009-01-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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