全压接快速散热型陶瓷外壳底座

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种全压接快速散热型陶瓷外壳底座，适合用于间隙式工作的半导体器件的封装外壳。包括大阳法兰(1)、瓷环(2)、小阳法兰(3)、阳极电极(4)、芯片定位环(6)和引线管(7)，其特征在于：所述阳极电极(4)的下端面均布有若干阳极散热槽(5)。本实用新型具有不需外接散热器，通过全压接的紧密接触，电极散热槽自行散热实现快速散热的特点。因此特别适合间隙式工作器件的封装。

基本信息

专利标题：

全压接快速散热型陶瓷外壳底座

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820036764.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-06-13

授权号：

CN201142325Y

授权日：

2008-10-29

发明人：

陈国贤徐宏伟耿建标

申请人：

江阴市赛英电子有限公司

申请人地址：

214433江苏省江阴市澄江镇工业园区梅园路14号

代理机构：

江阴市同盛专利事务所

代理人：

唐纫兰

优先权：

CN200820036764.6

主分类号：

H01L23/04

IPC分类号：

H01L23/04 H01L23/367

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/02

容器；封接

H01L23/04

按外形区分的

法律状态

2018-07-06 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 23/04
申请日 : 20080613
授权公告日 : 20081029

2008-10-29 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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