包括掺杂的多晶陶瓷光学器件的量子存储器系统和量子中继器系...
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摘要
一种量子存储器系统包括掺杂的多晶陶瓷光学器件、磁场生成单元和一个或多个泵浦激光器。当磁场生成单元生成磁场时，掺杂的多晶陶瓷光学器件定位于磁场生成单元的磁场内，该一个或多个泵浦激光器光学地耦合到掺杂的多晶陶瓷光学器件，并且掺杂的多晶陶瓷光学器件被掺杂有稀土元素掺杂剂，该稀土元素掺杂剂分布在掺杂的多晶陶瓷光学器件的晶格内，使得至少50％的稀土元素掺杂剂在远离晶格的晶界的位置处被掺杂到晶格的晶粒中。
基本信息
专利标题 ：
包括掺杂的多晶陶瓷光学器件的量子存储器系统和量子中继器系统及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109415201A
申请号 ：
CN201780042701.3
公开（公告）日 ：
2019-03-01
申请日 ：
2017-05-12
授权号 ：
CN109415201B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
J·A·布朗T·D·凯查姆D·A·诺兰W·塞钠拉特纳J·杨H·张
申请人 ：
康宁股份有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
姬利永
优先权 ：
CN201780042701.3
主分类号 ：
B82Y10/00
IPC分类号 ：
B82Y10/00 C04B35/486 C04B35/488 C04B35/505 G11C13/04 H04B10/70
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B82
超微技术
B82Y
纳米结构的特定用途或应用；纳米结构的测量或分析；纳米结构的制造或处理
B82Y10/00
用于信息加工、存储或传输的纳米技术，例如：量子计算或单电子逻辑
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B82Y 10/00
申请日 : 20170512
申请日 : 20170512
2019-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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