微发光二极管转移方法、微发光二极管装置和电子设备
授权
摘要
本发明公开了一种微发光二极管转移方法、微发光二极管装置和电子设备。该微发光二极管转移方法包括：在接收衬底的电极焊盘上和/或原始衬底的微发光二极管上，设置键合剂块；将接收衬底的电极焊盘和原始衬底的微发光二极管对齐接触，使键合剂块位于微发光二极管和电极焊盘之间；从原始衬底一侧，使用第一激光局部照射，使键合剂块熔化键合微发光二极管和电极焊盘；从原始衬底上剥离微发光二极管，使微发光二极管转移到接收衬底上。通过激光照射进行快速局部加热，避免了对接收衬底和原始衬底的整体加热，降低了热失配现象，优化了微发光二极管的键合流程，更容易控制。
基本信息
专利标题 ：
微发光二极管转移方法、微发光二极管装置和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110546771A
申请号 ：
CN201780089829.5
公开（公告）日 ：
2019-12-06
申请日 ：
2017-06-15
授权号 ：
CN110546771B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
邹泉波陈培炫
申请人 ：
歌尔股份有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高新技术产业开发区东方路268号
代理机构 ：
北京市隆安律师事务所
代理人 ：
权鲜枝
优先权 ：
CN201780089829.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2019-12-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20170615
申请日 : 20170615
2019-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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