一种均匀投射式电子光学结构
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摘要

本发明公开一种均匀投射式电子光学结构,包括:阴极区,束形成区,电子枪出口区;所述阴极区内设置有阴极,所述阴极投射电子并形成阴极发射面;所述电子从所述阴极发射面,经过所述束形成区、所述电子枪出口区射出,最终形成投射区域;所述束形成区包括至少两个子束形成区,每个子束形成区均为金属圆筒结构,并且各金属圆筒电位独立可调,用于控制所在区域内的电子束形态;所述束形成区对所述阴极发射面成一次倒立实像;所述投射区域为所述阴极发射面二次倒立实像,最终使得所述电子均匀投射。相比于现有技术,无需设置金属栅网,利用高压电场过聚焦,将阴极二次倒立实像投射到要求区域,通过优化的结构保证了投射区域的电子束均匀性。

基本信息
专利标题 :
一种均匀投射式电子光学结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108231527A
申请号 :
CN201810055508.X
公开(公告)日 :
2018-06-29
申请日 :
2018-01-19
授权号 :
CN108231527B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
赵健夏忠平朱滨
申请人 :
上海极优威光电科技有限公司
申请人地址 :
上海市杨浦区杨浦路2300号一楼
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201810055508.X
主分类号 :
H01J43/28
IPC分类号 :
H01J43/28  H01J43/06  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J43/00
二次发射管;电子倍增管
H01J43/04
电子倍增器
H01J43/28
管壳;窗;屏;抑制无用放电或电流的
法律状态
2022-06-14 :
授权
2020-05-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 43/28
申请日 : 20180119
2018-06-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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