用于预测半导体装置的特性的设备和方法

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摘要

提供了一种用于预测半导体装置的特性的方法和设备，所述方法包括：从已经在批量生产中的第一半导体装置收集多个第一特性的第一数据；以及从在开始批量生产之前作为实验样品而制造的至少一个第二半导体装置收集第一特性的第二数据和多个第二特性的第三数据。然后，基于第一数据、第二数据和第三数据获得协方差矩阵，并且确定要批量生产的第三半导体装置的均值向量。然后，基于协方差矩阵和均值向量生成第三半导体装置的预测数据。

基本信息

专利标题：

用于预测半导体装置的特性的设备和方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109425815A

申请号：

CN201810726109.1

公开（公告）日：

2019-03-05

申请日：

2018-07-04

授权号：

CN109425815B

授权日：

2022-05-24

发明人：

岛津胜広黄仁星

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市立方律师事务所

代理人：

李娜

优先权：

CN201810726109.1

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26 G01R31/28

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/26

•单个半导体器件的测试

法律状态

2022-05-24 ：

授权

2020-06-23 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20180704

2019-03-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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