CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结...
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摘要
本发明公开CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法，其过程为：先在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液，得到结构A；再将结构A在40‑80℃烘1‑30分钟；再去除结构A的金属衬底，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜；再对得到的复合薄膜进行漂洗；最后将漂洗后的复合薄膜转移到电极结构上，再进行晾干和烘，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器。本发明能够克服石墨烯转移过程中引入的有机残留污染和产生裂纹和褶皱的问题，同时制备的氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜很好的弥补了石墨烯的不足，使其气敏特性得到了极大地提高。
基本信息
专利标题 ：
CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109142466A
申请号 ：
CN201810805357.5
公开（公告）日 ：
2019-01-04
申请日 ：
2018-07-20
授权号 ：
CN109142466B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
李昕王常刘卫华赵丹王旭明贾唐浩
申请人 ：
西安交通大学;广东顺德西安交通大学研究院
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
徐文权
优先权 ：
CN201810805357.5
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/12
申请日 : 20180720
申请日 : 20180720
2019-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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