一种硅化钴膜的制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种硅化钴膜的制备方法，首先对硅衬底进行惰性气体等离子体处理以获得表面非晶化的衬底，然后于高温条件下在衬底上沉积钴形成膜层，接着将所形成的膜层于高温条件下进行一次快速退火工艺即制得所述硅化钴膜。相对于常规制程，本发明的制备方法极大简化了工艺流程、显著降低了制造成本，而且也克服了硅化钴膜制备过程中常见的氧化问题，在半导体器件的制造领域具有非常重要的应用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种硅化钴膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110942984A
申请号 ：
CN201811120092.1
公开（公告）日 ：
2020-03-31
申请日 ：
2018-09-25
授权号 ：
CN110942984B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
何丹丹任兴润刘洋王婷汪雷
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王莹
优先权 ：
CN201811120092.1
主分类号 ：
H01L21/285
IPC分类号 ：
H01L21/285
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积，例如冷凝
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-04-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/285
申请日 : 20180925
申请日 : 20180925
2020-03-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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