一种解剖塑封光耦的方法
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摘要

本发明公开了一种解剖塑封光耦的方法,该方法包括:对塑封光耦进行内部成像;打磨塑封光耦,直至露出光耦隔离片;采用机械应力对塑封光耦进行解剖;去除光耦隔离片;采用腐蚀剂去除芯片表面的导光胶和键合点上残留物;采用有机溶剂对解剖后的塑封光耦进行清洗。本发明以一种简单、高效、低成本、高成功率的方法实现对塑封光耦的解剖,并且保证了器件内部结构完整、器件不会遗失、芯片表面干净,确保塑封光耦器件在失效分析和破坏性物理分析等分析工作中满足使用条件,有效提升了针对塑封光耦的分析能力,能很好满足失效分析中的失效定位分析以及破坏性物理分析中的内引线键合力、芯片剪切力等测试分析工作。

基本信息
专利标题 :
一种解剖塑封光耦的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112108481A
申请号 :
CN201910540995.3
公开(公告)日 :
2020-12-22
申请日 :
2019-06-21
授权号 :
CN112108481B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
符佳佳王志林李智闫玉波
申请人 :
北京振兴计量测试研究所
申请人地址 :
北京市丰台区云岗北区西里1号院30号楼
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201910540995.3
主分类号 :
B09B3/00
IPC分类号 :
B09B3/00  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B09
固体废物的处理;被污染土壤的再生
B09B
固体废物的处理
B09B3/00
固体废物的破坏或将固体废物转变为有用或无害的东西
法律状态
2022-05-13 :
授权
2021-01-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B09B 3/00
申请日 : 20190621
2020-12-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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