NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法
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摘要
本发明公开了NP电极共平面倒装Micro‑LED微显示阵列及制作方法，包括电致发光阵列、倒装结合层、阵列倒装基板；电致发光阵列包括：像素单元、像素单元隔离槽、衬底；像素单元包括：N型半导体、有源区、P型半导体、绝缘层、N型电极、P型电极；阵列倒装基板包括：基板衬底、P电极互连线，N电极互连线、绝缘层。对外延材料进行干法刻蚀至N型半导体得到电极沟槽，并将像素单元隔离成两部分，然后生长绝缘层对电极沟槽侧壁进行保护，再溅射电极。使用干法刻蚀至衬底得到像素隔离槽，实现相邻像素电隔离。本发明采用倒装加共晶焊\回流焊方式可以提高芯片金属电极与下基板接触面积，从而提高热传导效率和机械强度。
基本信息
专利标题 ：
NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110491895A
申请号 ：
CN201910668693.4
公开（公告）日 ：
2019-11-22
申请日 ：
2019-07-23
授权号 ：
CN110491895B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
郭伟玲邰建鹏申栗繁孙捷
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
沈波
优先权 ：
CN201910668693.4
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/00 H01L33/38 H01L33/48
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-12-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/15
申请日 : 20190723
申请日 : 20190723
2019-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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