一种具有高孔隙率的三维网状结构晶体及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了化合物1的晶体，所述晶体为单斜晶系，空间群为P 121/n；所述晶体的晶胞参数为：α＝90°，β＝90.024±0.008°，γ＝90°；或，
α＝90°，β＝113.35±0.03°，
实验证明，本发明制得的化合物1能够形成2种不同的晶体：晶体1和晶体2，表明化合物1存在多晶型现象。其中，晶体1通过大量的氢键作用与C‑H‑π作用，使配位水分子与晶体骨架堆积成具有高孔隙率的三维网状结构；而晶体2中分子间的连接方式与排列方式有显著的差别，它仅通过N‑H…N和O‑H…N两种氢键作用与C‑H…π作用使化合物1分子堆积成无孔三维交叉结构。这种特殊的晶体结构使得化合物1
基本信息
专利标题 ：
一种具有高孔隙率的三维网状结构晶体及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110551130A
申请号 ：
CN201910727502.7
公开（公告）日 ：
2019-12-10
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN110551130B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
周兴龙何杨李为民马蓓蓓柴莹莹黄日东陈海
申请人 ：
四川大学华西医院;成都华西精准医学产业技术研究院有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区国学巷37号
代理机构 ：
成都高远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李高峡
优先权 ：
CN201910727502.7
主分类号 ：
C07D487/04
IPC分类号 ：
C07D487/04 A61P35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D487/00
在稠环系中含有氮原子作为仅有的杂环原子的杂环化合物，不包含在C07D451/00至C07D477/00组中
C07D487/02
在稠合系中含有两个杂环
C07D487/04
邻位稠合系
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-01-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07D 487/04
申请日 : 20190807
申请日 : 20190807
2019-12-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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