气体流量控制器的校准方法、校准系统及进气装置
授权
摘要
本发明提供一种气体流量控制器的校准方法、校准系统及进气装置，该流量控制器的校准方法包括以下步骤：S1，接收用户输入的所述气体流量控制器的气体流量设定值，向所述气体流量控制器输出所述气体流量设定值；S2，通过气体流量传感器检测所述气体流量控制器所在管路的实际气体流量值；S3，判断所述气体流量设定值与所述实际气体流量值的差值的绝对值是否小于或等于预设阈值；若是，根据预先建立的补偿关系获取与所述气体流量设定值对应的气体流量补偿值，并向所述气体流量控制器输出所述气体流量补偿值；若否，进行报警。通过本发明，提高了流量控制器调试及维护的便捷度。
基本信息
专利标题 ：
气体流量控制器的校准方法、校准系统及进气装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110571171A
申请号 ：
CN201910828034.2
公开（公告）日 ：
2019-12-13
申请日 ：
2019-09-03
授权号 ：
CN110571171B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
韩笑娜姜宏伟陈庆
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201910828034.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 G05D7/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190903
申请日 : 20190903
2019-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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