一种接触孔制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种接触孔制备方法，包括以下步骤：提供并在半导体衬底上形成牺牲栅极区和源漏区；在已形成的结构上依次沉积接触刻蚀停止层和层间介质牺牲层；对层间介质牺牲层，进行第一平坦化处理；并在去除牺牲栅极区后，进行替代栅工艺；去除接触孔区域外的层间介质牺牲层，仅保留接触孔区域内的层间介质牺牲层；并在已形成的结构上沉积层间介质层；对层间介质层，进行第二平坦化处理；并去除接触孔区域内的层间介质牺牲层和接触刻蚀停止层；在接触孔区域内填充金属层，形成接触孔。本发明提供的接触孔制备方法易实现对尺寸较小、高深比较高的接触孔的制备，同时，可以确保在刻蚀过程中不会对源漏区等结构造成损伤，从而确保器件性能。
基本信息
专利标题 ：
一种接触孔制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110634801A
申请号 ：
CN201910992197.4
公开（公告）日 ：
2019-12-31
申请日 ：
2019-10-18
授权号 ：
CN110634801B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
李永亮王晓磊杨红马雪丽王文武
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN201910992197.4
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-01-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20191018
申请日 : 20191018
2019-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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