接触电极的制备方法、Mirco-LED阵列器件及其制备方...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种接触电极的制备方法、Mirco‑LED阵列器件及其制备方法，接触电极的制备方法，包括以下过程：提供Micro‑LED阵列基板，在所述Micro‑LED阵列基板的接触电极位置形成铟主体层；在所述铟主体层上形成金属保护层；对所述铟主体层和所述金属保护层进行回流，得到所述接触电极。本发明制备的接触电极的高度、形状以及大小均匀，偏差较小，降低接触电极与驱动电路板的电极连接过程中出现短路、虚焊的几率。
基本信息
专利标题 ：
接触电极的制备方法、Mirco-LED阵列器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420798A
申请号 ：
CN202111486051.6
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄炳铨张珂吴涛
申请人 ：
深圳市思坦科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309
代理机构 ：
深圳中细软知识产权代理有限公司
代理人 ：
田丽丽
优先权 ：
CN202111486051.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/36 H01L33/44 H01L27/15
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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