一种薄膜型多孔离子源的制备方法
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摘要

本发明公开了一种薄膜型多孔离子源的制备方法,包括原料混合、制备源片、烧结和涂样,原料混合是先将铼粉和铂粉充分混合均匀后,加入液体胶水搅拌均匀并在自然环境条件下静置成均匀的混合体。制备源片是先将原料混合步骤制备的铼粉、铂粉和液体胶水的混合体加入稀释剂,充分搅拌成均匀的稀浆糊化的混合物,再将混合物倒入底面平整的模具中,使混合物在模具内形成平整的膜,并自然干燥后切割成源片。本发明通过在自然环境温度条件下、使用液体胶水实现铼粉和铂粉的混合,避免了离子源中铼粉和铂粉均匀性问题,从而简化了相应的处理工艺流程。同时,采用平板自然成膜方式,保证了膜的厚度较为一致,能够实现膜的厚度控制,使得待分析核素的电离效率较高而且较为稳定。

基本信息
专利标题 :
一种薄膜型多孔离子源的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111105982A
申请号 :
CN201911372459.3
公开(公告)日 :
2020-05-05
申请日 :
2019-12-27
授权号 :
CN111105982B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
龙开明杨楚汀刘雪梅
申请人 :
中国工程物理研究院核物理与化学研究所
申请人地址 :
四川省绵阳市919信箱214分箱
代理机构 :
中国工程物理研究院专利中心
代理人 :
翟长明
优先权 :
CN201911372459.3
主分类号 :
H01J49/10
IPC分类号 :
H01J49/10  H01J49/26  B22F1/00  B22F3/11  B22F3/22  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J49/00
粒子分光仪或粒子分离管
H01J49/02
零部件
H01J49/10
离子源;离子枪
法律状态
2022-04-05 :
授权
2020-05-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 49/10
申请日 : 20191227
2020-05-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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