多段式双串联多晶组结构二极管元件
授权
摘要
一种多段式双串联多晶组结构二极管元件，包括2N个晶组(N≧1为整数)，前(第1晶组)后(第2N组)二晶组的顶面分别配置一电极板为元件的第一、第二电极，N个下导板将2N个晶组的底面两两连接，(N－1)个上导板将前后二晶组除外的(2N－2)个晶组的顶面两两连接而形成一完整二极管元件结构，此元件结构除第一、第二电极的电极板外的晶组间及其外围均填充绝缘物质；元件的构装可视电性需求任意地调整晶组数量，且各晶组的层数可以不同，特别适合需求小体积、高功率及或高耐压整流二极管或保护型二极管等元件的构装。
基本信息
专利标题 ：
多段式双串联多晶组结构二极管元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920402501.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-27
授权号 ：
CN210136872U
授权日 ：
2020-03-10
发明人 ：
林慧敏吴文湖
申请人 ：
吴文湖
申请人地址 ：
中国台湾宜兰县
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN201920402501.0
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/488 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-03-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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