一种曝光机的曝光强度调节电路
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摘要
本实用新型公开了一种曝光机的曝光强度调节电路，包括开关电源、MCU、三极管Q2、场效应管Q1、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3及多个UVLED，所述多个UVLED包括正极接线端和负极接线端，所述开关电源的输出端同时连接电阻R1的一端、UVLED的正极接线端及二极管D1的负极，所述UVLED的负极接线端同时连接二极管D1的正极及场效应管Q1的漏极，所述场效应管Q1的栅极同时连接电阻R1的另一端及三极管Q2的集电极，所述场效应管Q1的源极和三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的基极同时连接电阻R2和电阻R3的一端，所述电阻R2的另一端连接5V电源，所述电阻R3的另一端连接至所述MCU的控制端。本实用新型降低了曝光机的制造成本，提高了曝光控制精度。
基本信息
专利标题 ：
一种曝光机的曝光强度调节电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920481618.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-11
授权号 ：
CN209640675U
授权日 ：
2019-11-15
发明人 ：
侯明春
申请人 ：
深圳惠格浩电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区燕罗街道罗田社区龙山八路2号G栋101、K栋、H栋101、L、M栋
代理机构 ：
深圳市查策知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曾令安
优先权 ：
CN201920481618.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H05B33/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2019-11-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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