一种用于制作多晶硅薄膜的激光照射系统

专利权的终止

摘要

一种用于制作多晶硅薄膜的激光照射系统，包括：激光光源，提供连续式固体激光；准分子激光光源，提供准分子激光；控制单元，控制激光光源提供连续式固体激光经过反射镜反射至聚焦透镜，经由聚焦透镜将连续式固体激光照射设置在基板上的非晶硅薄膜的表面，使得部份非晶硅薄膜的表面形成结晶以及在部份非晶硅薄膜形成结晶之后，控制单元再控制准分子激光光源提供准子激光照射非晶硅薄膜的其余表面，使得非晶硅薄膜完全形成多晶硅薄膜；以及退火反应腔，用以容置激光光源，准分子激光光源及光学组件，据此，采用分段式的激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜，可以有效增加多晶硅的结晶率。

基本信息

专利标题：

一种用于制作多晶硅薄膜的激光照射系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920483229.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-11

授权号：

CN209515607U

授权日：

2019-10-18

发明人：

叶昱均

申请人：

陕西坤同半导体科技有限公司

申请人地址：

陕西省咸阳市秦都区西咸新区沣西新城西部云谷C3楼4层1号

代理机构：

北京国昊天诚知识产权代理有限公司

代理人：

郑裕涵

优先权：

CN201920483229.3

主分类号：

H01L21/268

IPC分类号：

H01L21/268

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/26

用波或粒子辐射轰击的

H01L21/263

带有高能辐射的

H01L21/268

应用电磁辐射的，例如激光辐射

法律状态

2021-03-19 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/268
申请日 : 20190411
授权公告日 : 20191018
终止日期 : 20200411

2019-10-18 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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