一种高压硅堆整流晶体二极管
授权
摘要

本实用新型公开了一种高压硅堆整流晶体二极管,涉及二极管技术领域,其包括壳体,所述壳体的下表面开设有凹槽,所述凹槽内设置有二极管本体,且凹槽内壁四周的下方均设置有弹性装置,且四个弹性装置相靠近的一端均固定连接有挤压板。该高压硅堆整流晶体二极管,通过设置螺钉、螺纹孔、连接板、滑杆、滑套和活动板,人们在两个螺纹孔内安装螺钉,两个螺钉带动两个连接板向相靠近的方向运动,两个连接板带动两个滑杆和两个活动板向相靠近的方向运动,这样使得两个两个活动板能够把二极管本体的两个引脚固定在两个通槽内,使得二极管本体能够稳定的固定在凹槽内,避免因二极管本体晃动而带来的影响,从而保证了设备能够正常的工作。

基本信息
专利标题 :
一种高压硅堆整流晶体二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920496376.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-12
授权号 :
CN209708962U
授权日 :
2019-11-29
发明人 :
谢凯凯曹爱美郭薛健胡婷
申请人 :
深圳市豪林电子有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市龙岗区南湾街道上李朗社区洲腾工业区7栋三楼
代理机构 :
深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
何兵
优先权 :
CN201920496376.4
主分类号 :
H01L23/02
IPC分类号 :
H01L23/02  H01L23/10  H02M7/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器;封接
法律状态
2019-11-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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