上盖耐高压的陶瓷高压硅堆
授权
摘要
本实用新型公开了一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆，涉及陶瓷高压硅堆的技术领域，本实用新型旨在解决当电压超过一定数值后，芯片容易和上盖产生拉弧和放电击穿等现象的问题，本实用新型包括陶瓷壳体和金属盖，在金属盖的内侧还设置有二层绝缘盖。
基本信息
专利标题 ：
上盖耐高压的陶瓷高压硅堆
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122879398.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
CN216250717U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
张蕾刘洋孙晨亮
申请人 ：
阜新嘉隆电子有限公司
申请人地址 ：
辽宁省阜新市细河区四合路85号
代理机构 ：
沈阳中宇天信专利代理有限公司
代理人 ：
卞宇杰
优先权 ：
CN202122879398.9
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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