一种圆柱形高压硅堆的组合结构
授权
摘要
本实用新型提供一种圆柱形高压硅堆的组合结构，包括凸头，所述凸头固定连接于环氧模塑料一端，且所述环氧模塑料另一端设有凹面接触结构，所述凸头可拆卸连接另一个高压硅堆的所述凹面接触结构，且所述环氧模塑料中部设有特制电极杆。本实用新型通过该结构方便了用户的根据不同参数方案随意增减组合，并降低高压硅堆的使用和维护成本，同时此种组合结构方便了生产，更易于批量化，降低了生产成本,极大的提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种圆柱形高压硅堆的组合结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922051486.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN210668292U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
唐毅
申请人 ：
鞍山术立电子有限公司
申请人地址 ：
辽宁省鞍山市铁西经济开发区通尊科技园5号楼B座4层
代理机构 ：
青岛小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周莉
优先权 ：
CN201922051486.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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