一种微型高压硅堆组合块的封装工艺
专利申请的视为撤回
摘要
一种微型高压硅堆组合块封装工艺。该工艺包括配料、装模、封装、固化等步骤。由于采用改性环氧树脂一次封装，产品外形一致，小巧，生产率高，提高了产品的电参数性能，质量稳定。该工艺适用于微型高压硅堆组合块的生产。
基本信息
专利标题 ：
一种微型高压硅堆组合块的封装工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1095861A
申请号 ：
CN94111265.9
公开（公告）日 ：
1994-11-30
申请日 ：
1994-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨承志
申请人 ：
阜宁县晶体管厂
申请人地址 ：
224400江苏省阜宁县阜城镇
代理机构 ：
盐城市专利事务所
代理人 ：
刘趁新
优先权 ：
CN94111265.9
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/28 H01L23/29 H01L25/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
1997-07-16 ：
专利申请的视为撤回
1994-11-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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