一种组合可调式高压硅堆制具
授权
摘要
本实用新型提供了一种组合可调式高压硅堆制具，包括上模具块和下模具块，所述上模具块和下模具块的两侧外壁均对称铸焊有把手，所述上模具块设置有第一固定槽，所述第一固定槽内契合安装有上型腔块，所述上型腔块的裸露表面左右对称分隔有两个第一型腔槽，每个所述第一型腔槽内均并排分隔多个槽体，所述下模具块设置有第二固定槽，所述第二固定槽内契合安装有下型腔块，所述下型腔块的裸露表面左右对称分隔有两个第二型腔槽，每个所述第二型腔槽内均并排分隔多个槽体，所述上型腔块和下型腔块的两侧分别对称设有定位凹槽和定位凸块。本实用新型利用增加不同尺寸的型腔模块，解决了传统热压塑型制具结构单一的缺点，减少了生产步骤，提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种组合可调式高压硅堆制具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922050766.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN211376587U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
唐毅
申请人 ：
鞍山术立电子有限公司
申请人地址 ：
辽宁省鞍山市铁西经济开发区通尊科技园5号楼B座4层
代理机构 ：
枣庄小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周莉
优先权 ：
CN201922050766.1
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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