一种塑封高压硅堆
授权
摘要
本发明公开了一种塑封高压硅堆，包括依次间隔设置的多个陶瓷覆铜，多个陶瓷覆铜按极性方向通过内引线串联连接组成蛇形结构的硅堆组件，硅堆组件两端的陶瓷覆铜分别连接对应的螺纹电极，每个陶瓷覆铜上采用真空烧结方式设置有二极管管芯，二极管管芯通过铝丝与内引线连接。本发明通过采取新型工艺结构硅堆，经过新研制的产品，在封装外形尺寸不变的基础上，整体工作电流可提高至2～2.5A，提升了产品通电功率。
基本信息
专利标题 ：
一种塑封高压硅堆
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111816647A
申请号 ：
CN202010725718.2
公开（公告）日 ：
2020-10-23
申请日 ：
2020-07-24
授权号 ：
CN111816647B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
伍志雄刘文辉许允亮白朝辉王维乐智晶李斐行晓曦
申请人 ：
西安卫光科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市电子二路61号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
高博
优先权 ：
CN202010725718.2
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/498 H01L23/31 H01L23/492 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-11-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/07
申请日 : 20200724
申请日 : 20200724
2020-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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