集成智能基体分离型N沟道MOS管
授权
摘要
本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种集成智能基体分离型N沟道MOS管，包括漏极、源极、栅极和基体，还包括，逆流二极管，耦接于所述基体与漏极之间，用以供方向为源极至漏极的电流通过；顺流二极管，耦接于所述基体与源极之间，用以供方向为漏极至源极的电流通过；电流方向转换单元，耦接于所述漏极、源极和基体，用以控制电流流向。本实用新型具有降低功耗、实现完全截止、双向导通的效果。
基本信息
专利标题 ：
集成智能基体分离型N沟道MOS管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920509581.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-15
授权号 ：
CN209676206U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
冯显声黄勍隆闸钢
申请人 ：
深圳能芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920509581.X
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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