一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片
授权
摘要
本发明涉及一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片，包括：P型衬底区、纵向耐压区、隔离区、MOSFET和二极管区域；所述二极管区域包括二极管、N‑横向漂移区和纵向沟道区；P型衬底区位于芯片底部，P型衬底区上方设置纵向耐压区，纵向耐压区上方一边设置MOSFET，纵向耐压区上方另一边设置二极管区域。本发明的有益效果是：通过加入纵向沟道区并适当调节其沟道长度，来增加纵向耗尽层在N型层的极限深度；当漏极/阳极对源极/参考地形成高压降时，避免了因耗尽层边界扩展到二极管阳极而出现的纵向穿通问题。纵向沟道区提升了功率集成芯片的纵向耐压能力和整体耐压水平，拓宽了芯片的应用范围。
基本信息
专利标题 ：
一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113035863A
申请号 ：
CN202110235396.8
公开（公告）日 ：
2021-06-25
申请日 ：
2021-03-03
授权号 ：
CN113035863B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
盛况刘立王珏于浩
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州九洲专利事务所有限公司
代理人 ：
张羽振
优先权 ：
CN202110235396.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06 H01L29/78 H01L29/861 H01L29/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-07-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20210303
申请日 : 20210303
2021-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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