一种接地电极结构及具有该接地电极的等离子腔室
授权
摘要
本实用新型技术方案公开了一种接地电极结构及具有该接地电极的等离子腔室，应用于射频等离子去胶，其中，在所述接地电极的表面边缘位置处朝向中心位置处依次开设尺寸逐渐递减的多个穿孔圈。通过将接地电极表面的穿孔圈尺寸设置为由边缘位置处朝向中心位置处逐渐递减，降低了边缘位置处的气体的电离强度和等离子的密度，从而减小了接地电极和功率电极的中心位置处的去胶速率，提高了去胶均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种接地电极结构及具有该接地电极的等离子腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920790119.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN209982805U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
张志强丁伟彭帆
申请人 ：
上海稷以科技有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路555号戊楼4026室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920790119.1
主分类号 ：
H05H1/46
IPC分类号 ：
H05H1/46 G03F7/42
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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