一种低内阻MOS封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种低内阻MOS封装结构，包括塑封体、引线框架和clip铜片；塑封体包裹在引线框架和铜片的外侧；引线框架包括载片岛、载片岛一侧的第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚和第四引线脚；引线框架还包括载片岛另一侧的第五引线脚、第六引线脚、第七引线脚和第八引线脚；第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；MOS管芯片通过焊料安装在载片岛之上；clip铜片通过焊料和MOS管芯片的源极相连接，且通过焊料依次和第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；第四引线脚通过键合线或clip铜片夹扣的方式与MOS管芯片的栅极相连；一侧引线脚开设圆孔。本实用新型可以增加clip铜片和MOS管芯片的接触面积，从而降低接触电阻，增加电流承载能力。
基本信息
专利标题 ：
一种低内阻MOS封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920878804.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-12
授权号 ：
CN209963052U
授权日 ：
2020-01-17
发明人 ：
袁宏承
申请人 ：
无锡市宏湖微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区胡埭工业园金桂路19号
代理机构 ：
无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张悦
优先权 ：
CN201920878804.X
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-01-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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