一种减少侧面出光的LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种减少侧面出光的LED芯片，所述LED芯片包括减薄衬底、反射层和发光结构所述减薄衬底包括正面和背面，所述发光结构设于减薄衬底的正面上，所述减薄衬底的背面设有图形凹缺部，所述图形凹缺部的刻蚀深度为减薄衬底厚度的1.3％～2.6％，所述反射层设于减薄衬底的背面和图形凹缺部上。本实用新型通过图形凹缺部和反射层的相互配合，将有源层任意出光角度的光线进行反射，反射后的光线垂直于芯片正面射出，从而减少芯片的侧面出光。
基本信息
专利标题 ：
一种减少侧面出光的LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920987790.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-26
授权号 ：
CN209981263U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
潘绮琳陆绍坚
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201920987790.5
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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