一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、设于发光结构上的第一DBR反射层、以及设于衬底背面的第二DBR反射层，所述第一DBR反射层为单堆结构，所述第二DBR反射层为多堆结构，发光结构发出的光经过第一DBR反射层和第二DBR反射层反射后，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。本实用新型通过第一DBR反射层和第二DBR反射层的相互配合，减少芯片向上及向下出光，增加芯片侧向出光，以使芯片正向及侧向发光强度趋于相同。此外，本实用新型的第一DBR反射层覆盖在发光结构正面还可以作为保护层，从而节省一道氧化硅绝缘层沉积工艺，进而缩短制程时间及节约制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种具有DBR绝缘保护的出光均匀LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020214621.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-17
授权号 ：
CN211320133U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
邓梓阳崔永进范凯平仇美懿徐亮庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN202020214621.0
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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