高压倒装LED光源

授权

摘要

本实用新型公开了一种高压倒装LED光源，其包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。所述芯片包括电极区与发光区，所述电极区与发光区间隔设置。本实用新型的高压倒装LED光源中，所述芯片可以与基板无缝结合，且可避免出现连接胶溢流到导电电极处的问题，从而既可保障电学连接的有效性，亦可增强LED倒装芯片的散热均匀性，同时采用的LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，具有稳定性好、抗失效率高、面积利用率高等特点。

基本信息

专利标题：

高压倒装LED光源

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921100842.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-15

授权号：

CN210200756U

授权日：

2020-03-27

发明人：

唐文婷蔡勇

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

王茹

优先权：

CN201921100842.9

主分类号：

H01L33/54

IPC分类号：

H01L33/54 H01L33/64 H01L33/48