一种晶体研磨装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体研磨装置，包括上研磨盒和、下研磨盒以及位于上研磨盒和下研磨盒之间的载晶板，所述上研磨盒和下研磨盒通过设置在一侧的铰接件铰接，所述上研磨盒的下端面设置有对称设置的气缸，所述气缸的输出端固定安装有连接板，所述连接板上固定安装有电机一，所述电机一的输出端贯穿连接板且固定安装有上安装板，所述下研磨盒内固定连接有转轴，该实用新型结构合理，通过设置上安装板和下安装板，并在上安装板和下安装板上安装研磨片能够对载晶板上的晶片两侧端面同时进行研磨，提高研磨效率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体研磨装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921148605.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-13
授权号 ：
CN210182332U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
俞平
申请人 ：
浙江新泰通讯科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市上虞区百官街道工业区江广路
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921148605.X
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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