分体式气体分散片及离子源系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种分体式气体分散片及离子源系统，所述气体分散片包括分体式设计的基体及导磁片，所述基体及导磁片的平面均呈圆形，所述基体上设有圆形的容置槽，所述导磁片固定安装于基体上的容置槽内。本实用新型将气体分散片中的基片和导磁片进行分体式设置，导磁片的锥面结构能够减少导磁片消耗，交换时只需更换中间导磁片部分，节约成本，保证了膜层品质。
基本信息
专利标题 ：
分体式气体分散片及离子源系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921223573.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210341042U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
赵向仁黄坤袁怀刚
申请人 ：
威海世高光电子有限公司
申请人地址 ：
山东省威海市威海经济技术开发区齐鲁大道-附60-2号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王茹
优先权 ：
CN201921223573.5
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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