一种高功率的三极管
授权
摘要
本实用新型属于三极管技术领域，且公开了一种高功率的三极管，包括三极管主体，所述三极管主体的前表壁中间位置处连接有第二引脚，所述三极管主体前表壁且位于第二引脚的两侧对称连接有第一引脚和第三引脚，且三极管主体的顶端安装有封盖，所述封盖的两侧壁对称连接有卡块，所述三极管主体的上表壁两侧对称开设有与卡块相适配的卡槽，本实用新型通过卡块和卡槽的配合，可实现封盖的自由拆卸与安装，在三极管内部的原件需要维护或者更换时，可利用卡块在卡槽内的滑动将封盖从三极管主体顶端抽出，三极管内部的元件即可暴露出来，缺少了遮挡，便于工作人员快速的维护或者更换，省时省力。
基本信息
专利标题 ：
一种高功率的三极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921249897.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210200696U
授权日 ：
2020-03-27
发明人 ：
蔡逸宇
申请人 ：
深圳市艾格林电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然五路9号天安科技创业园A座803-B
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
彭西洋
优先权 ：
CN201921249897.6
主分类号 ：
H01L23/10
IPC分类号 ：
H01L23/10 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/10
按部件间，例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的
法律状态
2020-03-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
