一种气相沉积器和颗粒材料的制备装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种气相沉积器和颗粒材料的制备装置，所述气相沉积器包括收集器、箍紧装置和沉积室，所述沉积室包括进气段、出气段和至少两个收集段；所述箍紧装置套接在所述收集段外，并连接相邻两个所述收集段；所述进气段和所述出气段均安装在所述收集段上；所述收集器通过所述箍紧装置安装在相邻的两个所述收集段之间，并位于所述沉积室内。收集器可从沉积室内取出，降低了颗粒材料收集的难度，提高了收集速度。而且，收集器作为单独的部件，容易清洗，降低了颗粒材料被污染的可能。
基本信息
专利标题 ：
一种气相沉积器和颗粒材料的制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921291674.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-09
授权号 ：
CN210481515U
授权日 ：
2020-05-08
发明人 ：
余大强
申请人 ：
中兴高能技术有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东西湖区惠安大道油纱路口中兴工业园
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
任晓
优先权 ：
CN201921291674.6
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/24 C23C16/50 C23C16/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-05-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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