制备二维晶体材料的化学气相沉积设备
授权
摘要
本实用新型公开一种制备二维晶体材料的化学气相沉积设备包括：包括：真空室；所述真空室内设置有样品台和气体分配器；第一控温室，用于放置第一原材料，并用于将所述第一原材料加热以产生第一原材料的蒸气；第一进气管，连通所述第一控温室和所述气体分配器；第二控温室，用于放置固态或液态第二原材料，并用于所述第二原材料加热以产生第二原材料的蒸气；第二进气管，连通所述第二控温室和所述气体分配器；第三进气管，一端用于连通所述第二原材料的气体源，另一端连通所述气体分配器。本实用新型技术方案具有二维晶体材料制备精度高，产品均匀性和重复性好，化学气相沉积设备适用范围广的优点。
基本信息
专利标题 ：
制备二维晶体材料的化学气相沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921366056.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-21
授权号 ：
CN210394591U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
钟国仿陈炳安张灿
申请人 ：
深圳市纳设智能装备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区凤凰街道观光路3009号招商局光明科技园A3座212室
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
陈文斌
优先权 ：
CN201921366056.3
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B29/64 C23C16/448 C23C16/44 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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