基于化学气相输运法制备针状磷化硅晶体的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于化学气相输运法制备针状磷化硅晶体的方法，包括以下步骤：在石英管的生长端一侧放置一基底，在石英管的反应端一侧放置源材料和输运剂，对石英管进行抽真空，抽真空后密封石英管，其中，源材料为单质硅和单质红磷的混合物，输运剂为KCl；对石英管的反应端和生长端同时加热13～18h，加热后随炉冷却至室温20～25℃，在基底上得到针状磷化硅晶体，其中，反应端的加热温度为1100‑1050，生长端的加热温度为670～900℃。本发明利用化学气相输运法实现了针状磷化硅晶体材料的制备，为IVA‑VA新型半导体材料合成提供经验，也为化学气相输运法生二维晶体材料提供有利支撑。
基本信息
专利标题 ：
基于化学气相输运法制备针状磷化硅晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318520A
申请号 ：
CN202011074121.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡章贵武羽邱海龙吴以成
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区宾水西道391号
代理机构 ：
天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李蕊
优先权 ：
CN202011074121.2
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B29/10 C30B29/62
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/00
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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