一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置,包括储存壳体、柜门、反应器、加热套、滑槽A和滑槽C,所述储存壳体的前端面安装位置安装有隔板,所述隔板和储存壳体的内壁之间均通过铰链安装有柜门,所述储存壳体的上表面中心位置安装有安装板A,所述安装板A的上表面设置有滑槽B,所述滑槽B的内壁上安装有滑块A,所述滑块A的内壁上安装有螺纹杆,所述螺纹杆的一端安装在滑槽B一侧内壁的轴承内,所述螺纹杆的另一端穿过安装板A的另一侧外壁与手轮连接。本实用新型可以对反应气体的流量进行严格的控制,形成的多温区能为化学反应提供最佳的反应温度,同时能让各部分均匀受热,加快了气相沉积的速度,实用性强。
基本信息
专利标题 :
一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022466988.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-30
授权号 :
CN213835628U
授权日 :
2021-07-30
发明人 :
邹晓艳
申请人 :
黑龙江大学
申请人地址 :
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
代理机构 :
哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
何强
优先权 :
CN202022466988.4
主分类号 :
C30B29/54
IPC分类号 :
C30B29/54 C30B25/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
法律状态
2021-07-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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