一种外延炉供气装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种外延炉供气装置，包括多根进气管和一导气组件，所述导气组件的进气端通过多个进气孔与多根所述进气管对应对接，所述导气组件的出气端设有多组分散孔，每个所述进气孔通过一空腔与对应的一组所述分散孔连通，形成多条间隔的进气通道。本实用新型通过控制气体的分散性，使晶片表面的反应区域边缘气体分布均匀，进而显著提高外延片产品的边缘结晶质量，并可提高整体的指标均匀性，显著增加外延片的可用面积。
基本信息
专利标题 ：
一种外延炉供气装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921368527.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-20
授权号 ：
CN210826439U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
孔令沂韩景瑞梁土钦孙国胜邓菁李锡光
申请人 ：
东莞市天域半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼
代理机构 ：
广东莞信律师事务所
代理人 ：
谢树宏
优先权 ：
CN201921368527.4
主分类号 ：
C30B25/14
IPC分类号 ：
C30B25/14 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置；反应气流的变换
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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