一种用于炉盖的上提拉装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于炉盖的上提拉装置，所述炉盖本体与炉体本体通过法兰端面密封，所述炉盖本体通过法兰端面与固定底座密封，所述固定底座上设置底板，所述底板上设置保护罩组件与升降动力组件，且升降动力组件位于保护罩组件两侧设置，所述炉体本体的炉口端与提拉杆的一端固定连接，且提拉杆依次贯穿炉盖本体、固定底座、底板、保护罩组件，所述提拉杆的另一端与旋转驱动电机固定连接，本实用新型将升降动作和旋转动作的密封方式由接触式转变成非接触式，集成一体，具有结构轻巧、方便更换、维护延长密封件使用寿命、保证设备性能的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种用于炉盖的上提拉装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921571172.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-20
授权号 ：
CN210620993U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
梁仁和孙海鸥赵梅玉
申请人 ：
北京精仪天和智能装备有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区林河工业开发区顺仁路53号1幢3层
代理机构 ：
北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
郭智
优先权 ：
CN201921571172.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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