一种新型功率MOS模组的DBC板结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型功率MOS模组的DBC板结构，包括双面覆有铜箔的DBC板，所述DBC板的一侧设置有与Vo连接的第一主端子，所述DBC板的另一侧设置有分别外接V+和V‑的第二主端子和第三主端子，所述DBC板上还设置有两组功率MOS模组，每组功率MOS模组的漏极连接DBC板上的漏极输入端铜箔，并且漏极输入端铜箔上还引出有漏极控制端子，每组功率MOS模组的源极连接到DBC板上源极输出端铜箔和1个源极控制端铜箔，栅极与栅极控制端铜箔连接。本实用新型采用三个主端子连接功率MOS，简化布线，模块小型化。
基本信息
专利标题 ：
一种新型功率MOS模组的DBC板结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921816674.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-25
授权号 ：
CN210325786U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
周文定
申请人 ：
成都赛力康电气有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区牧鱼二路588号内
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
许志辉
优先权 ：
CN201921816674.3
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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