一种区熔单晶硅棒用夹持装置
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摘要

本实用新型提供一种区熔单晶硅棒用夹持装置,包括底座、圆筒柱以及夹持组件,夹持组件包括支柱、定位件、销子辊和挡片,销子辊贯穿圆筒柱上段部倾斜设置,销子辊轴线与圆筒柱中心轴线夹角为35‑40°;挡片垂直于销子辊设置,包括与销子辊配合的通孔、与单晶硅棒接触的连接弧、与连接弧相连且对称设置的侧边弧,与连接弧对位设置的下缘弧,连接弧、侧边弧和下缘弧一体连接设置,连接弧和侧边弧最低点均靠近通孔设置,下缘弧最低点远离通孔设置,连接弧的直径为75‑85mm。本实用新型设计出最佳的卡固位置,可稳定卡固单晶硅棒,保证单晶硅棒竖直放置的稳定性,降低制晶过程中产生位错的风险,最大限度地降低对制晶工艺参数的影响。

基本信息
专利标题 :
一种区熔单晶硅棒用夹持装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922001705.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-19
授权号 :
CN211256149U
授权日 :
2020-08-14
发明人 :
李健乐张淳李笑岩张丰谭永麟孙健涂颂昊王遵义李伟凡王聚安
申请人 :
天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN201922001705.6
主分类号 :
C30B13/00
IPC分类号 :
C30B13/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
法律状态
2020-08-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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