一种超长寿命大容量SIM卡芯片架构

授权

摘要

本实用新型提供了一种超长寿命大容量SIM卡芯片架构。所述大容量SIM卡芯片架构由2≤N组大容量SIM卡芯片组成，各组大容量SIM卡芯片均包括SIM安全芯片和大容量存储芯片，每颗SIM安全芯片内置每个计数器，每颗SIM安全芯片通过通讯总线连接对应的每颗大容量存储芯片组成一组大容量SIM卡芯片；所述大容量SIM卡芯片架构中，各组大容量SIM卡芯片的SIM安全芯片之间通过通信总线相互连接。本实用新型的超长寿命大容量SIM卡芯片架构，能够增加大容量SIM卡芯片的使用寿命。

基本信息

专利标题：

一种超长寿命大容量SIM卡芯片架构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922120642.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-02

授权号：

CN210836174U

授权日：

2020-06-23

发明人：

陈凝解辰胡博

申请人：

北京紫光青藤微系统有限公司

申请人地址：

北京市海淀区五道口王庄路1号清华同方科技大厦D座西楼15层

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201922120642.6

主分类号：

G06K19/077

IPC分类号：

G06K19/077