一种曲面屏磁控溅射组件
授权
摘要
本实用新型提供了一种曲面屏磁控溅射组件，包括公自转伞具转架和多组阴极组件，多组阴极组件与公自转伞具转架不接触，多组阴极组件沿公自转伞具转架的周向分布，每组阴极组件包括两个阴极装置，每个阴极装置包括磁棒，每组阴极组件的两个磁棒的磁场方向可调节，公自转伞具转架包括自转架和多组用于装载基片的公自转架，自转架绕其中心轴可自转的设置，公自转架可自转的安装在自转架上，自转架自转时带动多组公自转架绕所述中心轴公转。本实用新型基片架带动基片自转同时公转，每组阴极组件的两个磁棒的磁场方向可调节的设置，溅射沉积更均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种曲面屏磁控溅射组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922198954.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN211734462U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
孙桂红祝海生黄乐陈立唐洪波唐莲凌云徐璐
申请人 ：
湘潭宏大真空技术股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省湘潭市九华经济区盛世路8号
代理机构 ：
湖南乔熹知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
安曼
优先权 ：
CN201922198954.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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